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        服務(wù)需求
        標(biāo)題
        單晶硅高壓芯片擴(kuò)散對(duì)厚度要求系數(shù)&超低壓芯片擴(kuò)散的VF控制系數(shù)等類高溫?cái)U(kuò)散技術(shù)
        服務(wù)類型
        單位名稱
        信陽(yáng)技術(shù)交易市場(chǎng)
        電話
        19913769651
        聯(lián)系人
        信陽(yáng)市科技成果轉(zhuǎn)化促進(jìn)中心
        電子郵件
        xyscgzhzx@163.com
        傳真
        聯(lián)系地址
        郵政編碼
        464000
        需求內(nèi)容
        芯片擴(kuò)散中高壓數(shù)據(jù)高高低低不平穩(wěn)低壓無(wú)法控制結(jié)深與VF值。需要花費(fèi)大量實(shí)驗(yàn)找數(shù)據(jù),目前還未找到擴(kuò)散時(shí)間控制點(diǎn)。 
        主要技術(shù)指標(biāo)
        1.高壓需要單片5000-6000V耐壓
        2.低壓40V,VF控制在0.5V
        預(yù)期效用
        解決后道封裝高壓需要單方向多片疊片問(wèn)題。解決肖特基二極管的高成本問(wèn)題。
        實(shí)現(xiàn)周期
        3年
        其他目標(biāo):
        想進(jìn)一步了解解決一些芯片擴(kuò)散的技術(shù)壁壘
        合作方式聯(lián)合開(kāi)發(fā)
        經(jīng)費(fèi)投入根據(jù)實(shí)際需要投入100萬(wàn)
        資質(zhì)要求:具有半導(dǎo)體單晶硅擴(kuò)散工藝技術(shù)。并充分了解PN結(jié)的形成和要素,能解決此類擴(kuò)散中存在的問(wèn)題。
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